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Add to my wish list Hydride vapour phase epitaxy growth, crystal properties and dopant incorporation in gallium nitride Patrick Hofmann This dissertation employs doping to investigate basic gallium nitride (GaN) crystal properties and to solve challenges of the hydride vapour phase epitaxy (HVPE) growth process. Whereas the first chapter is a short introduction to the history of the GaN single crystal... Publication date: 2018-09-04 Format: PDF DRM-free Publisher: Books on Demand Add to basket £8,66

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Hydride vapour phase epitaxy growth, crystal properties and dopant incorporation in gallium nitride

Patrick Hofmann

This dissertation employs doping to investigate basic gallium nitride (GaN) crystal properties and to solve challenges of the hydride vapour phase epitaxy (HVPE) growth process. Whereas the first chapter is a short introduction to the history of the GaN single crystal...

Publication date: 2018-09-04

Format: PDF DRM-free

Publisher: Books on Demand

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